MRF6S21050LR3 MRF6S21050LSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
?60
?10
?20
?40
?50
2170 2180
2190
2200
2100
2110
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 11.5 Watts
2120
2130
2140
2150
2160
15.4
16.4
?42
30
28
26
24
22
?34
?36
?40
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
16.3
16.2
16.1
16
15.9
15.8
15.7
15.6
15.5
?38
?32
?30
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
?35
?10
?15
?25
?30
2170 2180
2190
2200
2100
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 23 Watts
2110
2120
2130
2140
2150
2160
15
16
?34
41
40
39
38
37
?26
?28
?32
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
15.9
15.8
15.7
15.6
15.5
15.4
15.3
15.2
15.1
?30
?24
?20
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
1 10010
13.5
17.5
0.1
IDQ
= 675 mA
560 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
ps
, POWER GAIN (dB)
17
16.5
16
15.5
15
14.5
14
450 mA
335 mA
225 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz
f2 = 2145
MHz, Two?Tone
Measurements, 10 MHz Tone Spacing
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
?10
0.1 101
?20
?30
?40
100
?60
?50
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
IDQ
= 225 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two?Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
675 mA
450 mA
560 mA
335 mA
VDD= 28 Vdc, Pout
= 11.5 W (Avg.)
IDQ
= 450 mA, 2?Carrier W?CDMA
10 MHz Carrier Spacing, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
VDD= 28 Vdc, Pout
= 23 W (Avg.)
IDQ
= 450 mA, 2?Carrier W?CDMA
10 MHz Carrier Spacing, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
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